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深國安第8次中標浙江大學硅材料國家重點實驗室
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作為中國氣體檢測儀十大品牌之一的深國安，在業績享有一定的知名度。且在包括浙江大學、北京科技大學、中國電力學院、山東大學等學府在內，有大批產品安全、可靠地應用在各院校中。
此次中標項目為浙江大學材料應用與工程學院硅材料國家重點實驗室。采購產品為SGA-500B-EX-GP廣譜型可燃氣體檢測儀（可同時檢測甲烷、氫氣等易燃氣體）和SGA-500B-CO 24小時在線監測型一氧化碳檢測儀。
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浙江大學硅材料國家重點實驗室
1985年，在浙江大學半導體材料研究所的基礎上，由原國家計委批準建設硅材料國家重點實驗室（原名高純硅及硅烷國家重點實驗室），88年正式對外開放。是國內最早建立的國家重點實驗室之一。以重點實驗室為依托的浙江大學材料物理與化學學科（原半導體材料學科）一直是全國重點學科，1978年獲批國內首批碩士點（半導體材料），1985年獲批國內第一個半導體材料工學博士點。
從上世紀50年代開始，浙江大學在硅烷法制備多晶硅提純技術、摻氮直拉硅單晶生長技術基礎研究等取得系列重大成果，在國際上占有獨特的地位；同時，實驗室一直堅持“產、學、研”緊密結合，培育出浙江金瑞泓科技股份有限公司等國內硅材料的龍頭企業，取得顯著經濟效益。自上世紀90年代以來，實驗室研究方向不斷拓寬。目前，實驗室以硅為核心的半導體材料為重點，包括半導體硅材料、半導體薄膜材料、復合半導體材料以及功能材料微納結構等研究方向。
2005年至2012年期間，實驗室獲得國家自然科學二等獎2項、國家科學技術進步二等獎2項，浙江省科學技術一等獎9項，發表SCI檢索論文1911篇，獲得國家發明專利452項，已成為國家在本領域的科學研究、人才培養和國際交流的主要基地之一。
主要研究方向及特色
重點實驗室主要從事硅單晶材料及半導體材料的基礎科學與應用基礎研究，己形成自己的特色，主要研究方向如下：
(1)半導體硅材料的晶體生長，晶體加工和缺陷工程；
(2)半導體薄膜生長、物性評價及器件應用研究；
(3)復合半導體光電功能材料研究；
(4)微納結構材料及物理；
研究隊伍和人才培養
實驗室現有骨干固定學術骨干63人，其中，中國科學院院士2人，國家“杰出青年科學基金”獲得者9名，“長江學者特聘教授”5名，國家“百千萬”人才工程計劃3名，國家教育部“跨世紀、新世紀優秀人才”7名。另外，實驗室有管理人員3人，由固定學術骨干聘任的流動研究人員32人。
目前，重點實驗室學術委員會主任是褚君浩院士，副主任是張澤院士。實驗室主任是楊德仁教授。在學科帶頭人闕端麟院士指導下，實驗室擁有一支以中青年骨干為主，老、中、青相結合的精干科技隊伍。
實驗室重視人才培養和研究隊伍建設。5年來培育和引進了5位國家杰出青年基金獲得者，科研隊伍中新增了16位教授（8位培養、8位引進）。已為國家培育了博士生138名（其中全國百篇優秀博士論文1篇，提名獎5篇），碩士生315人，博士后59人，實驗室除了在學術上關心研究生外，還在生活上提供一定的幫助。
未來發展方向
重點實驗室將堅持長期、系統、穩定的工作。以硅為核心的半導體材料的基礎研究和應用領域：在堅持微電子用大直徑硅單晶晶體生長、加工和缺陷工程研究的基礎上，著重拓展硅外延、太陽能硅材料、硅基光電子材料以及納米硅材料的研究；半導體薄膜領域：在堅持ZnO薄膜生長和摻雜特色的基礎上，重點開展半導體薄膜在LED照明領域的應用；復合半導體領域：在堅持有機－無機復合光電子材料和器件研究的同時，重點開展有機－有機，無機－無機復合光電子、光功能材料的基礎研究和應用。
在此基礎上，圍繞信息和能源材料的功能構造，進一步拓寬學科領域，加強電子信息材料、磁性材料、太陽能電池材料以及其它能源與環境材料等一批國民經濟發展迫切需要的新型功能材料的研究。以國際前沿的基礎科學問題，國家重大需求的關鍵技術攻關等為導向，提高基礎研究水平，做出創新成果。
